招标公告

1. 招标条件

本招标项目化合物/介质膜刻蚀设备招标人为中国电子科技集团公司第四十四研究所，招标项目资金来自国拨资金，出资比例为100%。该项目已具备招标条件，现对化合物/介质膜刻蚀设备进行国内公开招标。

2. 项目概况与招标范围

2.1 招标编号：ZKX20260424A011

2.2 招标项目名称：化合物/介质膜刻蚀设备。

2.3数量:1台

2.4 主要内容：化合物/介质膜刻蚀设备要求为国产全新设备，主要用于铟镓砷APD焦平面探测器微纳光场调控结构、隔离沟槽结构等窄线宽图形刻蚀,完成化合物及介质膜材料刻蚀工艺,化合物材料方面，主要包括InP、InGaAs（P）、InAlAs等；介质膜方面，主要包括SiO2、SiNx、SiNxOy等单层或多层混合介质膜。主要流程：在铟镓砷APD焦平面芯片制作全流程工艺中，化合物/介质膜刻蚀设备在光刻工序完成刻蚀掩膜制作之后，用于晶圆表面介质开窗及材料刻蚀。刻蚀工艺完成之后，通过后续PECVD工序完成材料表面钝化。工艺输入输出均为标准晶圆。

2.5 交货地点：重庆市沙坪坝区西永微电园西永大道23号。

2.6 交货期：合同生效后150天。

3. 投标人资格要求

3.1 依法设立的证明：投标人须具有独立承担民事责任能力的在中华人民共和国境内注册的法人或其他组织，具备有效的营业执照或事业单位法人证书或其它营业登记证书。

3.2 业绩要求：投标人需提供2023年1月1日至今已签订的本次投标同型号设备的销售业绩≥3台，须提供设备采购合同复印件（合同乙方应为投标人或制造商）。合同内容须体现合同标的物、数量、签订日期、甲乙双方签字或盖章页、设备型号等能反映业绩要求的主要内容，未按上述要求提供的业绩证明不予认可。

3.3 其它要求：本项目接受代理商投标，如代理商投标，需提供所投产品制造商针对本项目的授权证明文件，同一品牌同一型号产品仅能授权一家投标人参与本项目投标，制造商与代理商不得同时参与本项目投标。

3.4本次招标不接受联合体投标。

3.5 投标人必须向招标代理机构购买招标文件并进行登记才具有投标资格。

4. 招标文件的获取

4.1凡有意参加投标者，请于2026年07月17日至2026年07月24日17时(北京时间)，登录平台（网址：,注册操作咨询电话010-86397110）购买并下载招标文件，现场不予受理。

4.2 招标文件每套售价800元（从平台下载标书款电子发票），售后不退。

本招标项目仅供正式会员查看，您的权限不能浏览详细信息,请注册本网会员并成为正式会员后可下载详细的招标公告、报名表格、项目附件和部分项目招标文件等。
联系人：陈经理
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